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Ionenstrahlätzanlage (Ion Beam Etching - IBE) - Commonwealth Scientific Corporation

Das Ionenstrahlätzen (Ion Beam Etching - IBE) dient zur Entfernung und Strukturierung von dünnen Schichten. Der Materialabtrag erfolgt rein physikalisch durch das Auftreffen von hochenergetischen Teilchen auf eine Werkstoffoberfläche. Bei dem Verfahren handelt es sich um ein Trockenätzverfahren. Am IMPT wird eine Ionenstrahlanlage der Firma Commonwealth Scientific Corporation eingesetzt.

Ansprechpartner: Jürgen Becker
Alexander Kusch
E-Mail: kruppeimpt.uni-hannover.de

Bild Ionenstrahlätzanlage (Ion Beam Etching - IBE) - Commonwealth Scientific Corporation Bild Ionenstrahlätzanlage (Ion Beam Etching - IBE) - Commonwealth Scientific Corporation

Bild Ionenstrahlätzanlage (Ion Beam Etching - IBE) - Commonwealth Scientific Corporation

Technische Details

  • Ionenstrahlätzen von 4“-Substraten
  • Leistung variabel

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