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Kathodenzerstäubung (Sputtering) - MRC/Senvac

Mittels des Verfahrens der Kathodenzerstäubung (Sputtern) lassen sich dünne bis ultradünne Schichten unterschiedlicher Materialien (hauptsächlich Metalle) im Bereich von wenigen Nanometern bis in den niederen Mikrometerbereich auf einem Substrat abscheiden.

Ansprechpartner: Alexander Kusch
Daniel Klaas

Bild Kathodenzerstäubung (Sputtering) - MRC/Senvac Bild Kathodenzerstäubung (Sputtering) - MRC/Senvac

Bild Kathodenzerstäubung (Sputtering) - MRC/Senvac

Bild Kathodenzerstäubung (Sputtering) - MRC/Senvac

Beschreibung

Mit den vorhandenen Anlagen lassen sich Wafer mit einem Durchmesser von 100 mm beschichten. Weiterhin können unterschiedliche Substrate besputtert werden, welche nicht in Waferform vorliegen. Hierfür dürfen diese jedoch die Größe der Targetpositionen nicht überschreiten. 

Verfügbare Anlagen

Senvac - Drei Targetpositionen (eine Position heizbar)

2 x MRC - Sieben Targetpositionen

Vorhandene Sputtertargets

  • Al2O3
  • AlFeSil
  • Au
  • Bi5N
  • CoCrTa
  • CoFe90/10
  • Cr
  • CrMnPt
  • Cu
  • FeTa
  • MnBi
  • NiFe35/65
  • NiFe45/55
  • NiFe81/19
  • NiMn
  • PZT
  • SmCo
  • Sputterglas
  • Ta
  • Ti

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