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Deep Reactive Ion Etch (DRIE) -Anlage - Oxford Instruments Plasmalab System 100

Mittels des DRIE-Prozesses lassen sich in Silizium Strukturen mit senkrechten Wandverläufen und hohem Aspektverhältnis ätzen.

Ansprechpartner: Esmail Asadi
Mathias Rechel
Veronika Gladilova

Bild Deep Reactive Ion Etch (DRIE) -Anlage - Oxford Instruments Plasmalab System 100 Bild Deep Reactive Ion Etch (DRIE) -Anlage - Oxford Instruments Plasmalab System 100

Bild Deep Reactive Ion Etch (DRIE) -Anlage - Oxford Instruments Plasmalab System 100

Bild Deep Reactive Ion Etch (DRIE) -Anlage - Oxford Instruments Plasmalab System 100

Beschreibung

Zur Herstellung von mechanischen Strukturen in Silizium werden in der Mikrosystemtechnik häufig Ätzverfahren genutzt. Neben den nasschemischen Verfahren ist der "Bosch-Prozess" weit verbreitet. Mittels dieses iterativen Prozesses lassen sich nahezu senkrechte Wandverläufe in Silizium struktutrieren. Am IMPT wurden weiterhin Versuche unternommen, monokristalines Siliziumcarbid zu strukturieren. 

Technische Details

  • Zurzeit Bearbeitung von 4"-Wafern (bis zu 8") möglich
  • 3000 W ICP-Quelle
  • 13,56 MHz, 300 W RF-Parallelplattenreaktor
  • Neben dem DRIE-Prozess sind bei entsprechender Umrüstung weitere Prozesse möglich

Weiterführende Informationen auf der Herstellerseite

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