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Anodischer Bondplatz

Am IMPT ist das anodische Bonden von Silizium- und Borosilikat-Werkstoffen für Einzelstücke und kleinere Stückzahlen möglich. Mittels eines Heizofens werden die Proben auf 400 °C - 500 °C erwärmt und durch Kontaktierung verbunden.

Ansprechpartner: Andreas Isaak

Bild Anodischer Bondplatz

Beschreibung

Mit dem anodischen Bonden können Si-Substrate mit Glassubstraten verbunden werden. Hierzu werden beide Substrate oder Chips aufeinander gelegt und aufgeheizt. Hochspannung wird angelegt, infolge derer die Wafer verbunden werden. Das anodische Bonden kann beispielweise zur Abdeckung von Kanälen in Si genutzt werden. Die Fügestelle ist hermetisch dicht und wird im industriellen Maßstab für Drucksensoren in KFZ-Elektronik und „Sandwich“-Strukturen angewendet. Weiterhin bietet das Borosilikat aufgrund seiner hohen optischen Transparenz und chemischen Beständigkeit die Möglichkeit Kapselungen von empfindlichen Bauteilen in anspruchsvollen Umgebungen herzustellen. 

Technische Details

  • Bondtemperatur: bis 500°C
  • Spannung: bis 10 kV
  • Fläche: Chips und Wafer bis 4 Zoll

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